fangwen1
Wed, 05 Nov 2025 08:27:23 +0000

簇式微纳加工中心

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高精密光学镀膜

采用ICP辅助磁控溅射的光学膜层低吸收和低应力，加工各类带通膜和截止膜，如人脸识别(Face lD)、中远红外高透膜；磁控溅射各类金属，如Cu, Al, Cr, Au, Ag, SUS等，工艺开发改善深孔镀膜,镀膜层具有优异的台阶覆盖性能,应用于MEMS芯片封装。

兼容4~12英寸的自动化基材传输系统

工艺过程中实时基于基材直接监控

清洁环境沉积薄膜点缺陷少

沉积工艺稳定,薄膜具有高重复性

快速换靶,维护保养便捷

灵活的？榛厥较低

设备？榛杓,可结合等离子清洗(Plasma-clean)单元，磁控溅射(SPT)单元，等离子增强化学反应(PECVD)单元，原子层沉积(ALD)单元，以及等离子化学反应刻蚀(RIE)单元，拓展成簇式加工中心，涵盖半导体微纳结构加工的基材清洗、薄膜沉积(含超薄薄膜)和图案化刻蚀整套工序。满足严格的薄膜沉积均匀性规格，最大程度减少了高应力薄膜缺陷，提高产量而降低成本。

？榛杓，便于升级或改装，为客户提供理想配置

腔体相互独立，不同工艺灵活切换

SPT:沉积多种不同材料,可选共溅射模式

PECVD:应用于多种光学膜系材料，n、k值可调

ALD:镀超薄膜,膜层均匀、高覆盖率

RIE:刻蚀不同材料的多层膜,精确控制蚀刻壁的垂直度和沟槽轮廓

应用领域

高精密光学器件

中频/射频反应溅射氧化物/氮化物膜

晶圆封装

直流/直流脉冲溅射金属膜

半导体器件阻隔层

ALD沉积超薄薄膜

生物医疗

医疗器械的金属化，药品的缓释层

微电路

RIE借助光刻胶图案化刻蚀薄膜

晶圆装载量

晶圆尺寸 | 装载量
4″ | 16
6″ | 12
8″ | 9
12″ | 5