功能性薄膜涂层设备

fangwen1
Sat, 13 Dec 2025 09:40:31 +0000

功能薄膜涂层设备

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STGJ.CG胜天国际真空基于自主PMA II和EFC专利技术，打造了新一代多功能涂层系统，支持ARC、MS、HIPIMS等多种工艺组合，满足刀具、模具、零部件及DLC、GLC、ta-C等碳基涂层的多样化需求。

产品广泛应用于科研、半导体、刀具、模具、医疗器械、新能源等领域，能沉积AlTiN、TiAlN、AlTiXN、AlCrN、AlCrXN、TiSiN、CrN、TiN等氮化物涂层，以及ta-C、类石墨、Cr+a-C、Cr+a-C:H、W+a-C、W+a-C:H等碳基及PECVD涂层。

STGJ.CG胜天国际涂层助力客户提升加工效率与刀具寿命，降低成本，实现高效、高质量制造。

应用领域

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产品优势

结构紧凑

占地面积。子诩傻焦こ

一致性

整个腔室中均匀的镀膜沉积速率

简单

易于操作维护

模块化

多种工艺技术灵活组合

DLC

单件镀膜成本低

监控

本地或远程监控镀膜过程

ARC、MS、HIPIMS等多种工艺组合

主要模块

Arc

创新的APA蒸发器技术（先进的等离子辅助）基于阴极真空电。碌牟憬峁固峁┝硕嘀挚⒖赡苄。
优势：
●靶材使用率高，降低靶材成本
●沉积率高
●磁场可调节
●靶材更换时间短
●等离子体密度高
●完美的涂层结合力

HiPIMS

HiPIMS代表高功率脉冲磁控溅射。
优势：
●离化率高（类似于电弧法）
●高功率密度，从 100 到1000 W/cm2
●等离子密度非常高
●可以通过等离子参数设置来调节层结构
●涂层非常光滑
●完美的涂层结合力
●在低基材温度下沉积致密的涂层

其他？

溅射

在溅射工艺中，通过高能离子（Ar）轰击靶材，分离成原子进而转化成气相。通过结合溅射材料和其他气体，将涂层沉积在基材上。
优势：
●可以溅射多种材料
●多种工艺变量可用
●光滑的涂层
●结合功率刻蚀工艺AEGD获得好的涂层结合力

氮化

使用氮化？，可在同一个系统、同一个批次，在PVD和/或PACVD涂层工艺之前进行等离子氮化工艺。由此生成一个硬化层，为后续的PVD/PACVD涂层提供完美的支撑。
优势：
●优化工具和零部件属性
●替代昂贵的基材
●显著延长寿命
●可以应用所有PVD涂层

DLC

DLC就是类金刚石涂层，指一系列具有超低摩擦系数的非晶碳涂层。使用DLC？，可以通过使用PVD和/或PACVD工艺来生成不同的DLC涂层。标准DLC涂层包括不含金属或含金属的碳基涂层。
优势：
●完美的涂层结合力
●高耐磨性
●低摩擦系数
●光滑的涂层

ta-C

ta-C?就是不含氢的四面体非晶碳，指的是一组极硬、低摩擦的非晶碳涂层。使用ta-C？榭梢陨煌膖a-C涂层。
优势：
●适用于比DLC更高的温度环境
●非常高的耐磨性
●完美的涂层结合力
●光滑的涂层

技术参数

HCSH-400 HCSH-650 HCSH-900 HCSH-1800

型号 | HCSH-400
有效等离子区域 | D400×H450mm
最高工作温度 | 550℃

技术特点

PMAⅡ
EFC
AEG
HIPIMS

预处理 | ARC, AEG, DC, MF, HIPIMS
阴极 | D120 / D160 / W125

真空条件

极限真空≤5×10₋₄Pa
工作真空≤5×10₋₃Pa

工艺周期

关门到开门4~5h
TiN：2~2.5um
TiAlN：2~2.5um
TiSiN：2~3.5um

设备配置

磁悬浮分子泵
脉冲偏压电源
PC智能控制系统

标准转架 | D140×4轴
最大装载量 | 200KG

备注

选用溅射（UBM，RF等）有效高度会适当减小
在线服务支持系统

型号 | HCSH-650
有效等离子区域 | D650×H750mm
最高工作温度 | 550℃

技术特点

PMAⅡ
EFC
AEG
HIPIMS

预处理 | ARC, AEG, DC, MF, HIPIMS
阴极 | D120 / D160 / W125

真空条件

极限真空≤5×10₋₄Pa
工作真空≤5×10₋₃Pa

工艺周期

关门到开门5~8h
TiN：2~2.5um
TiAlN：2~2.5um
TiSiN：2~3.5um

设备配置

磁悬浮分子泵
脉冲偏压电源
PC智能控制系统

标准转架 | D140×8轴
最大装载量 | 500KG

备注

选用溅射（UBM，RF等）有效高度会适当减小
在线服务支持系统

型号 | HCSH-900
有效等离子区域 | D900×H1200mm
最高工作温度 | 550℃

技术特点

PMAⅡ
EFC
AEG
HIPIMS

预处理 | ARC, AEG, DC, MF, HIPIMS
阴极 | D120 / D160 / W125

真空条件

极限真空≤5×10₋₄Pa
工作真空≤5×10₋₃Pa

工艺周期

关门到开门7~10h
TiN：2~2.5um
TiAlN：2~2.5um
TiSiN：2~3.5um

设备配置

磁悬浮分子泵×2
脉冲偏压电源
PC智能控制系统

标准转架 | D140×12轴
最大装载量 | 500KG

备注

选用溅射（UBM，RF等）有效高度会适当减小
在线服务支持系统

型号 | HCSH-1800
有效等离子区域 | D900×H1500mm
最高工作温度 | 550℃

技术特点

PMAⅡ
EFC
AEG
HIPIMS

预处理 | ARC, AEG, DC, MF, HIPIMS
阴极 | D120 / D160 / W125

真空条件

极限真空≤5×10₋₄Pa
工作真空≤5×10₋₃Pa

工艺周期

关门到开门7~10h
TiN：2~2.5um
TiAlN：2~2.5um
TiSiN：2~3.5um

设备配置

磁悬浮分子泵×2
脉冲偏压电源
PC智能控制系统

标准转架 | D140×12轴
最大装载量 | 500KG

备注

选用溅射（UBM，RF等）有效高度会适当减小
在线服务支持系统